Spezifikationen von RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM
- Technologie: DDR4
- Spannung: 1,2 V
- Art: Speicher (RAM)
- Latenzzeit: CL19
- RAM Speicher: 4 GB RAM
- Kompatibel: Laptop
- Geschwindigkeit: 2666 MHz
- Kapazität:
- 40 g
- 4 GB
- Speicher Typ: DDR4
Wenn Sie darüber nachdenken, einen Katalog Ihres Dropshipping-Shops mit den neuesten IT und Elektronik auf dem Markt zusammenzustellen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM zu Großhandelspreisen von BigBuy und eine umfassende Online-Großhandelsauswahl arbeitsspeicher von.
