RAM Speicher PNY MN16GSD42666 16 GB DDR4 2666 Mhz CL19 16 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM

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Spezifikationen von RAM Speicher PNY MN16GSD42666 16 GB DDR4 2666 Mhz CL19 16 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM

Technologie: DDR4
Spannung: 1,2 V
Art: Speicher (RAM)
Latenzzeit: CL19
Kapazität: 16 GB
Kompatibel: Laptop
Geschwindigkeit: 2666 MHz
Speicher Typ: DDR4
Format: 1 x 16 GB

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