Spezifikationen von RAM Speicher PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19
- Technologie: DDR4
- Spannung:
- 1.2 V
- 1,2 V
- Art: Speicher (RAM)
- Latenzzeit: CL19
- Anschlüsse: DIMM
- RAM Speicher: 4 GB RAM
- Geschwindigkeit: 2666 MHz
- Speicher Typ: DDR4
- Kompatibel: PC/Server
- Kapazität: 4 GB
PNY Performance. Component for: PC / Server, Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19
- Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB
- Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB
- Interner Speichertyp: DDR4
- Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
- Component for: PC / Server
- CAS Latenz: 19
- Speicherkanäle: Single-channel
- Speicherspannung: 1.2 V
- Verpackungsart: Sichtverpackung
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